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第三代半导体由于具有高频、高效、高功率、耐高温高压等特征，符合节能减排、智能制作等国家严重战略需求，现在已成为全球半导体技能和工业新的竞赛焦点。

从全球商场规模来看，现在全球第三代半导体商场根本被国外企业独占，如Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日铁住金、Norstel、罗姆、三菱电机、Infineon、意法半导体等。

国内第三代半导体工业链开端构成

近年来，国家先后印发了《要点新资料第一批次使用演示辅导目录（2019版）》《动力技能立异“十三五”规划》等鼓励性和支撑性方针，将SiC、GaN和AlN等第三代半导体资料归入要点新资料目录，推进支撑SiC等第三代半导体资料的制作及使用技能的打破。

此外，《中华人民共和国国民经济和社会开展第十四个五年规划和2035年前景方针大纲》也将“碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体开展”写入了“科技前沿范畴攻关”部分。

在国家方针扶持以及新兴工业的推进下，现在，国内第三代半导体工业链现已开端构成。

有数据显现，到2020年末，全国已有近30家第三代半导体资料企业，如衬底范畴的山东天岳、天科合达、同光晶体、中科钢研、纳维科技、山西烁科晶体等，外延片方面的瀚天天成、天域半导体等；模块/器材/IDM范畴则具有中电科旗下2所/13所/55所、中车年代、世纪金光、泰科天润、芯光润泽、根本半导体、英诺赛科、中科汉韵、海特高新等。

此外，国内不少传统半导体企业亦在加快第三代半导体范畴的布局，如华润微、闻泰科技、比亚迪、赛微电子、露笑科技、新洁能等均开端进入。

第三代半导体项目开展

2021年以来，国内已频频签约上马多个相关工业项目，与此同时，一大批严重项目也迎来了新的开展。

东源高纯石英和碳化硅单晶硅一体化硅工业项目签约

6月10日，广东省河源市东源县与华润水泥控股有限公司举办广东东源高纯石英和碳化硅单晶硅一体化硅工业项目结构协议签约典礼。

东源发布指出，该项目方案总出资180亿元人民币，一期方案出资100亿元，二期方案出资30亿元，三期方案出资50亿元。悉数建成达产后，估计年产量200亿元，估计年上缴税收30亿元。项目建成后，将大力推进东源硅工业立异开展，进一步强大千亿级硅基新资料工业集群。

晶睿电子电子级晶圆片、外延片制作项目试出产

6月9日，浙江晶睿电子科技有限公司开机，开端试出产电子级晶圆片、外延片制作。

晶睿电子公司的电子级晶圆片、外延片制作项目总出资55亿元，其间一期出资5亿元，首要进行高端电子级半导体资料（8-12英寸晶圆片）切磨、抛光、外延等资料的研制、制作，以及第三代化合物半导体外延片的出产，一期投产后年产量9亿元。

湖南三安半导体项目一期部分厂房竣工

据长沙高新区网站6月初报导，坐落长沙高新区的湖南三安半导体项目一期部分厂房已竣工，估计6月底第一批设备点亮。该项目总出资160亿元，首要建造具有自主知识产权的以碳化硅、氮化镓等宽禁带资料为主的第三代半导体全工业链出产与研制基地。

详细而言，项目将建造包含但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研制及工业化项目，包含长晶—衬底制作—外延成长—芯片制备—封装工业链，研制、出产及出售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiCMOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器材封装二极管、碳化硅器材封装MOSFET。

英诺赛科8英寸硅基氮化镓芯片出产线量产

6月5日，英诺赛科（姑苏）半导体有限公司“8英寸硅基氮化镓芯片出产线一期第一阶段产能扩展建造项目”签约典礼，量产发动典礼以及研制楼奠基典礼。

汾湖发布指出，英诺赛科一期项目正式敞开大规模量产，估计2021年完成产能可达6000片/月。项目悉数达产后估计将完成年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆。建成后将成为国际一流的集研制、提着、外延出产、芯片制作、分装测验等于一体的第三代半导体全工业链研制出产渠道。

电科北方集成电路资料工业基地项目开工

5月31日，总出资50亿元的电科北方（山东）半导体科技有限公司集成电路资料工业基地项目开工。

2019年8月21日，我国电子科技集团公司第十二研究所和晨鸿公司在淄博签定协作协议，在淄博打造国内首个集成电路资料工业基地，基地建造瞄准了职业最前沿的第三代半导体新资料技能。

其间，首个落户山东晨鸿电气有限公司集成电路资料工业基地的，就是第三代半导体的代表性资料——高等第氮化铝粉末及杂乱形状氮化铝陶瓷精细器材项目。

露笑科技碳化硅项目开端设备装置调试

5月31日，露笑科技在互动渠道上表明，公司在第三代半导体碳化硅这个颠覆性资料的技能方面获得打破，现在设备现已开端装置调试。该项目总出资100亿元，首要建造第三代功率半导体（碳化硅）的设备制作、长晶出产、衬底加工、外延制作等工业链的研制和出产基地。

项目分三期建造，其间第一期估计出资21亿元，建成达产后，可构成年产24万片导电型碳化硅衬底片和5万片外延片的出产能力；第二期估计出资39亿元，建成达产后，将构成年产10万片6英寸外延片和年产10万片8英寸衬底片出产能力；第三期估计出资40亿元，达产后将构成年产10万片8英寸外延片和年产15万片8英寸衬底片出产能力。

值得一提的是，为了更好的聚集碳化硅事务，削减公司在非主营事务上的资金投入，露笑科技于本年3月发布公告称，拟转让全资子公司浙江露通机电有限公司的100%股权。

中科汉韵SiC功率器材项目通线

5月24日，江苏中科汉韵半导体有限公司举办SiC功率器材项目通线典礼。

据悉，中科汉韵是我国科学院微电子研究所和徐州中科芯韵半导体工业出资基金一起出资的半导体芯片提着和制作企业（IDM），专心于第三代半导体碳化硅MOSFET芯片，致力于高质量碳化硅功率器材国产化。

中科汉韵是中科院微电子所碳化硅科技成果工业转化的成功模范。项目一期建筑面积2.1万平方米，建造年产5000片碳化硅功率器材出产线。该项意图正式通线，标志着我国企业打破了碳化硅芯片提着和工艺制作国产化中的一系列严重“卡脖子”技能。

东尼电子拟投建碳化硅半导体资料项目

4月12日，东尼电子发布2021年度非公开发行A股股票预案公告，拟征集资金5亿元出资建造碳化硅半导体资料等项目。

其间碳化硅半导体资料项目总出资额4.69亿元，由东尼电子直接担任施行，项目建造期36个月，项目建造完成后，将年产12万片碳化硅半导体资料，彻底达产当年可完成年经营收入7.78亿元，净利润9589.63万元。

现在，该项目现已湖州市吴兴区开展变革和经济信息化局存案，并获得《浙江省工业企业“零土地”技能改造项目存案通知书》。

赛微电子拟投建硅基氮化镓产线

4月1日，赛微电子与青州市人民政府签署了《协作协议》，拟在青州市建造6-8英寸硅基氮化镓功率器材半导体制作项目。

依据协议，该项目总出资10亿元，项目一期方案2021年末前做好投产前预备，2022年上半年投入出产，建成投产后将构成6-8英寸GaN芯片晶圆5,000片/月的出产能力，二期建成投产后将构成6-8英寸GaN芯片晶圆12,000片/月的出产能力，将为全球GaN产品客户的旺盛需求供给老练的技能支撑和产能保证。

华瑞微半导体IDM芯片项目估计年末投产

据南谯区人民政府3月发布的音讯，华瑞微半导体IDM芯片项目一期估计于本年年末正式投产，主营事务为研制、出产、出售功率半导体芯片。依据规划，该项目项目一期用地100亩，6万平米的出产厂房估计本年5月封顶，年末将正式投产，一期达产后，估计年出售额可达10亿元。

据悉，该项目由南京华瑞微集成电路有限公司总出资30亿元，于2020年10月正式开工奠基，首要承当第三代化合物半导体器材的研制及工业化，建造SiCMOSFET出产线。项目建成后将构成年产1万片第三代化合物半导体器材的出产能力。

斯达半导体投建SiC芯片/功率半导体模块等项目

3月2日，斯达半导体发布公告称，公司拟定增不超35亿元，投建SiC芯片和功率半导体模块等项目。

其间，高压特征工艺功率芯片和SiC芯片研制及工业化项目总出资金额20亿元。拟经过新建厂房及库房等配套设备，置办光刻机、显影机、刻蚀机、PECVD、退火炉、电子显微镜等设备，完成高压特征工艺功率芯片和SiC芯片研制及工业化。项目达产后，估计将构成年产36万片功率半导体芯片的出产能力。

功率半导体模块出产线自动化改造项目总出资金额为7亿元，项目达产后，估计将构成新增年产400万片的功率半导体模块的出产能力。

亮晶新材碳化硅单晶圆芯片项目签约新疆

2月20日，江苏连云港亮晶新资料科技有限公司碳化硅单晶圆芯片项目签约落地新疆昌吉。

据江苏连云港亮晶新资料科技有限公司总经理邹立民介绍，公司方案在准东经济技能开发区建造年产8万片第三代半导体芯片和碳化硅单晶圆芯片项目。

姑苏纳维总部大楼奠基

1月24日，姑苏纳维科技有限公司（以下简称“姑苏纳维科技”）举办总部大楼奠基典礼。

据姑苏工业园区发布音讯，该项目坐落姑苏纳米城，总用地面积14000平方米，总建筑面积约34000平方米，将建造氮化镓（GaN）单晶衬底研制基地与高端产品出产基地，估计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。（文/全球半导体调查；封面图源/拍信网）